Was Alex Lidow im Bereich Leistungshalbleiter erreicht hat, genügt für zwei Leben. Er hat zwei bahnbrechende Technologien mitentwickelt – den Silizium-Leistungs-MOSFET und den Galliumnitrid-HEMT. Wir fragten ihn, wie es dazu kam.
Elektronik: Obwohl Sie die grundlegenden Innovationen für den kommerziellen Leistungs-MOSFET nach Ihrer Promotion an der Stanford University entwickelt haben, beginnen die Wurzeln dieser Entwicklung schon vor dem Beginn Ihres Studiums. Erzählen Sie uns davon.
Dr. Alex Lidow: Vor meinem Promotion arbeitete ich im Sommer 1975 im Forschungs- und Entwicklungslabor von International Rectifier und entwickelte Bipolartransistoren. Mit dieser Erfahrung im Hinterkopf ging ich an die Stanford University, fest davon überzeugt, dass Siliziumtransistoren für die Leistungselektronik in einer Sackgasse steckten. Wir brauchten etwas Neues. Deshalb beschäftigte ich mich in meiner Abschlussarbeit mit Galliumarsenid als Leistungshalbleitermaterial der Zukunft. Im Laufe der Zeit erkannte ich dessen positive Eigenschaften, aber auch dessen Schattenseiten, insbesondere die schwierige Fertigbarkeit und die hohen Kosten.
Damals sah ich bei einem Freund eine Stereoanlage, vermutlich von Sony, die einen Leistungs-MOSFET enthielt. Es war eine sehr primitive Art von MOSFET, ein laterales Bauteil. Er kam wegen seiner Linearität im Verstärkerteil zum Einsatz. Ich fand es sehr interessant und faszinierend, dieses Bauteil auseinanderzunehmen und zu analysieren. Dabei entstand die Idee, dass wir im Bereich Leistungshalbleiter keine besseren bipolaren Transistoren brauchten, sondern dass man den Feldeffekt nutzen könnte, um den Strom zu modulieren.
Zusammen mit dem Wissen, das ich im Labor für integrierte Schaltungen in Stanford erworben hatte, gelang es mir, Schaltungen aus Galliumarsenid zu skalieren. Ich erkannte, dass sich auf diese Weise Leistungstransistoren mit sehr hoher Dichte herstellen ließen, die weit über das hinausgingen, wozu das laterale Bauteil in dieser Stereoanlage in der Lage war.
Dann präsentierten Sie diese Idee Ihren ehemaligen Kollegen im Forschungs- und Entwicklungslabor von International Rectifier. Da Sie der Sohn des Gründers und CEO von IR waren, müssen die doch ganz begeistert davon gewesen sein, oder?
Nein, überhaupt nicht. Sie liebten ihre Thyristoren und all das andere Zeug. Aber mein Vater setzte großes Vertrauen in mich und bestärkte mich darin, weiterzumachen.
In Stanford war ich in derselben Studiengruppe wie Tom Herman, und mit der Zeit wurden wir enge Freunde. Er schloss sein Studium ein paar Monate vor mir ab und begann für International Rectifier zu arbeiten. Er richtete dort ein Labor ein, wir gingen dort hinein und beschlossen, die MOS-Technologie für integrierte Schaltungen zu nutzen, um Leistungstransistoren zu bauen.
Technologie für integrierte Schaltungen zu nutzen, um Leistungstransistoren zu bauen. Dann wurde ein Ohm für einen 400-Volt-Transistor als Ziel formuliert. Wie kam es dazu? Anfang 1978 stellte mein Vater Bill Collins ein, einen sehr erfahrenen Fachmann, und er äußerte eines Tages: »Was die Welt wirklich braucht, sind 400 Volt/1 Ohm! Wenn ihr das schafft, gehört euch die Welt, denn dann ließe sich AC direkt in DC umwandeln.« Tom Herman und ich schauten uns an und skizzierten ein paar Ideen.
Für denselben Tag hatte ich für nachmittags einen Flug nach Stanford gebucht, wo ich erst vor wenigen Wochen meinen Abschluss gemacht hatte, und ich zeigte meine Ideen meinen Kumpels dort. Und sie gefielen ihnen. Irgendwann sagte John Shott: »Lasst uns Masken schneiden!«
Noch am selben Tag standen wir abends um einen großen Lichttisch herum und schnitten mithilfe von Rasierklingen Masken aus Mylar. Wir schufteten die ganze Nacht, und am nächsten Morgen fotografierten wir diese riesigen durchsichtigen Masken mit einer Fotokamera, die etwa sechs bis zwölf Meter entfernt war, um die Maske zu schrumpfen. Diesen manuellen Schrumpfungsprozess wiederholten wir so lange, bis wir das richtige Format für die Halbleiterfertigung hatten.
Aber es blieb nicht dabei. Nur wenige Stunden später hielten Sie den ersten Prototyp eines MOSFETs in den Händen. Was war geschehen?
Im Institutsgebäude gegenüber züchteten einige Studenten gerade Epi-Wafer, und sie gaben sie mir. Wir hatten also alles, was wir für die Erstellung von Prototypen brauchten. Ich ging mit einer Schachtel prozessfähiger Siliziumwafer und einem Maskensatz zurück in Toms Labor. Nur 72 Stunden nachdem Bill Collins gesagt hatte, dass wir ein 400-Volt/1-Ohm-Bauteil bräuchten, hatten wir erste funktionsfähige Prototypen.
Konnten Sie das Ziel von 1 Ohm erreichen?
Nun, diese ersten Prototypen waren nur eine Machbarkeitsstudie. In den folgenden Wochen arbeiteten wir intensiv daran, dieses Konzept zu skalieren, um das 1-Ohm-Ziel zu erreichen. Aber als wir die ersten Muster in Händen hielten, funktionierten sie nicht richtig. Sie hatten tatsächlich zwei Ohm! Was für eine Katastrophe! Aber Tom Herman sah sich meine enorm detaillierten Entwurfszeichnungen auf Mylar an und fand einen Fehler. Die ersten beiden Linien eines Knotens lagen zu dicht beieinander. Ich fühlte mich wirklich elend. Wir mussten noch einmal ganz von vorne anfangen. Wir würden den geplanten Starttermin verpassen.
Am 22. Juli 1978, als ich zur Geburtstagsfeier meines Bruders fuhr, realisierte ich, dass ich meinen Fehler in einen Vorteil ummünzen konnte. Durch Hinzufügen eines bestimmten Schrittes konnten wir ein Produkt herstellen, das sogar eine viel höhere Dichte aufwies. Es ging darum, Ladung in den Zwischenraum einzufügen, den ich zu klein entworfen hatte. Auf dieser Grundlage entstand ein Silizium-Leistungs-MOSFET, der allen bisherigen Ansätzen weit überlegen war.
Hatte dieses erste Produkt diese hexagonale Struktur, für die IR mit dem Markennamen HEXFET sehr bekannt wurde?
Ehrlich gesagt, nein. Am Premierentag war ich in New York City und besuchte dort mit stolzgeschwellter Brust alle Redakteure mit unserem Aluminium-Gate-MOS-Transistor, der zehnmal besser war als alles andere. Um 2 Uhr nachts rief mich Tom Herman an und sagte: »Ich habe eine Idee. Nimm dir einen Stift zur Hand.« Also skizzierten wir diese sechseckige Struktur, was schließlich in den HEXFET mündete.
In dem Moment, in dem wir dies taten, verfügten wir über eine sehr ausgereifte Palette von Innovationen, die für die nächsten 20 bis 30 Jahre die dominierende Kraft war. Im Grunde besitzen alle planaren Silizium-MOSFETs, die IGBTs und die Siliziumkarbid-MOSFETs immer noch diese Struktur.
Bei jeder neuartigen Bauteiltechnologie werden Robustheit und Zuverlässigkeit infrage gestellt. Was haben Sie getan, um darauf zu reagieren?
Das war sehr wichtig, denn es gab zwei Oxide, über die wir uns Gedanken machen mussten - die Kanten des Bauelements und das Gate-Oxid. Bipolare Transistoren waren damals an den Rändern glaspassiviert. Die Chiphersteller ätzten einen tiefen Graben an der Kante ihrer Bauteile, füllten ihn mit Glaspulver und erhitzten es, sodass das Glas schmolz. Dies war ein sehr schmutziger Prozessschritt, der außerdem nicht skalierbar war. Deshalb wollten wir diesen Prozess für unsere MOSFETs nicht anwenden. Stattdessen entwickelten wir eine Hochspannungsstruktur mit potenzialfreien Wannen und Feldplatten, um ein gewachsenes Oxid verwenden zu können, mit dem wir die Kanten des Bauelements passivieren könnten. Auch das war äußerst innovativ.
Völlig neu war auch das Gate-Oxid, oder?
Richtig. MOS-Bauelemente besitzen ein Gate-Oxid zwischen dem Gate-Metall und dem darunter liegenden Kanal. Bipolare Sperrschichttransistoren haben dies nicht. Das war etwas völlig Neues auf dem Gebiet der Leistungstransistoren.
Als wir das Produkt erstmals vorstellten, blieb es weitgehend unbeachtet – so wie es bis vor kurzem auch bei Galliumnitrid-HEMTs war. Nach einer Weile sagten die großen Hersteller von Bipolartransistoren wie Motorola: »Lieber Kunde, spiel nicht mit diesem Zeug. Diese filigranen kleinen Glasstrukturen werden zerbrechen, wenn man sie mit echter Leistung betreibt.« Dieses Argument wurde eine ganze Weile verwendet, sodass wir enorm viel Arbeit leisten mussten, um die Zuverlässigkeit zu belegen. Das hat mich gelehrt, wie man die natürliche und rationale Angst überwinden kann, dass neue Technologien in völlig unvorhersehbarer Weise versagen könnten.
Das war der Ursprungsgedanke hinter unserer Test-to-Fail-Methodik. Wir haben unsere Produkte so lange gestresst, bis sie versagten, und dann analysiert, warum und wie sie versagten. Auf diese Weise konnten wir unsere Bauteile verbessern, um sie noch robuster und zuverlässiger zu machen.
Aber schließlich setzte sich der Silizium-Leistungs-MOSFET durch und wurde zur dominierenden Technologie für Leistungshalbleiter. Ich erinnere mich, dass Sie sagten, Sie hätten einen Anruf von Steve Wozniak, dem Apple-Mitgründer, erhalten. War das der Wendepunkt?
Das war eine große Sache, aber nicht der kommerzielle Durchbruch. Wozniaks Konzept bestand darin, das Netzteil in einen Computer zu integrieren, den man auf den Schreibtisch stellen konnte. Zu dieser Zeit waren Computernetzteile so groß und sperrig, dass sie niemals in einen Desktop-Computer gepasst hätten. Aber das war die Vision von Wozniak. Wir hatten einen zur damaligen Zeit recht bekannten Anwendungsingenieur, Brian Pelly, und einen sehr talentierten indischen Ingenieur, Rutton Ruttonsha. Beide fanden heraus, wie man dieses 400-Volt/1-Ohm-Produkt verwenden konnte, um einen Eintakt-Sperrwandler für eine AC-DC-Wandlung mit Universaleingang zu bauen. Man konnte diesen Wandler sowohl für die 110-Volt-Netzspannung in den USA als auch für die 220 Volt in Europa verwenden. Dieses 300- oder 400-Watt-Netzteil mit seiner Schaltfrequenz von etwa 100 Kilohertz war klein genug, um in einen Desktop-Computer zu passen. Schließlich fand es Eingang in den Apple IIe.
Der entscheidende Wendepunkt für den kommerziellen Erfolg von Silizium-MOSFETs war jedoch, als IBM diese Technologie für seine berühmten Personal Computer übernahm. Das bedeutete riesige Stückzahlen für unser Produkt.
Warum war das so etwas Besonderes?
Aus meiner Promotion zu Galliumarsenid wusste ich, dass es extrem teuer ist, Kristalle von Verbindungshalbleitern zu züchten. Mit diesem Hetero-Epitaxie-Verfahren, bei dem eine dünne Schicht Galliumnitrid auf einem gängigen Silizium-Wafer gezüchtet wird, sah ich einen Ansatz, um die Kostenschranke zu überwinden, die mit dem extrem energieintensiven Zuchtverfahren für Halbleiterkristalle mit großer Bandlücke verbunden ist. Ein Siliziumkarbid- oder Galliumnitrid-Wafer wird niemals so billig sein wie ein Silizium-Wafer mit demselben Durchmesser. Aber ein paar Mikrometer Material auf einem herkömmlichen Silizium-Wafer zu züchten, dürfte nicht so viel kosten.
Darüber hinaus lässt sich Galliumnitrid bei denselben Temperaturen prozessieren wie Silizium. Das bedeutet, dass GaN auf Silizium-Wafern mit Standardausrüstung gefertigt werden könnte. Aus diesen Teilen setzte sich für mich ein Bild zusammen. Die Idee war, GaN auf Silizium genauso herzustellen wie Silizium-Germanium auf Silizium. Aber Galliumnitrid zeigt um Größenordnungen bessere Ergebnisse als Silizium-Germanium, weil es ein viel höheres kritisches elektrisches Feld, eine viel höhere Elektronenmobilität und eine viel höhere Sättigungsgeschwindigkeit hat. Deshalb begann ich bei International Rectifier mit einigen Nachforschungen darüber.
Aber Sie haben auch Hilfe von einem früheren Bekannten von Caltech bekommen, nicht wahr?
Ja. Ich bin auf ein kleines Start-up-Unternehmen gestoßen. Es wurde von meinem Betreuer während des Studiums an der Caltech, Tom McGill, zusammen mit ein paar seiner Studenten gegründet. Wir kauften das Unternehmen, und die beiden Gründer, Bob Beach und Paul Bridger, begannen für mich bei International Rectifier zu arbeiten. Wir richteten eine Fertigungslinie ein, aber wir kamen nur sehr schleppend voran. Dies lag daran, dass IR zu diesem Zeitpunkt ein Riesenunternehmen war, und jeder liebte MOSFETs. Genau wie bei Motorola mit den Bipolartransistoren wollte uns das gesamte Ökosystem bei IR weismachen, dass Galliumnitrid niemals funktionieren würde. Geschichte wiederholt sich. Ich hatte damit wirklich zu kämpfen.
Aber dann wurden Sie als CEO von International Rectifier vor die Tür gesetzt.
Obwohl es zu diesem Zeitpunkt nicht so aussah, war dies eine gute Nachricht für mich. Nachdem ich zwölf Jahre lang das Unternehmen geleitet hatte, war der Verwaltungsrat mit mir und meinem Vater, dem Gründer von IR, unzufrieden, und man warf uns raus.
Aber was sollte ich als Nächstes tun? Ich bereitete mich auf meinen letzten Tag bei der IR vor und war ein wenig niedergeschlagen, als ich eine Entscheidung traf. Eine Option war die Einführung einer Form des Kohlenstoffhandels, um die Auswirkungen der CO2-Emissionen anrechnen zu können. Bei fossilen Brennstoffen wie der Kohleverstromung oder dem Betrieb von Verbrennungsmotoren werden die Umweltfolgen, die Kosten für deren Beseitigung und die Auswirkungen auf den Klimawandel nicht eingepreist. Aber in naher Zukunft werden wir dies tun müssen.
Die andere Option war, das Thema Galliumnitrid weiterzuverfolgen. Mein Herz schwankte zwischen diesen beiden Optionen hin und her. Aber als ich bereit war, meinen letzten Arbeitstag bei IR anzutreten, hatte ich mich für Galliumnitrid entschieden. Das war die Geburtsstunde von EPC. Nur 30 Tage später wurden wir eingetragen. Sie sagten, dass der Markt für Bipolartransistoren heute immer noch so groß sei wie in den späten 1970er-Jahren. Wird der Markt für Silizium-Leistungs-MOSFETs in zehn Jahren noch genauso groß sein wie heute, oder werden Galliumnitrid und Siliziumkarbid Marktanteile von Anwendungen übernehmen, die bislang Silizium-MOSFETs verwendet haben?
Generell gibt es ein Missverständnis darüber, wie sich Technologien gegenseitig ablösen. In den Anfängen des MOSFET schalteten wir Werbeanzeigen mit dem Slogan »Bipolar ist tot«, in denen ein roter Kreis und ein Kreuz über dem Bipolartransistor prangte. Inzwischen wissen wir, dass der Umsatz in Dollar für Bipolartransistoren genauso hoch ist wie im Jahr 1978. Tatsache ist, dass sich das Wachstum bei den Bipolartransistoren verlangsamte und schließlich zum Stillstand kam, als alle neuen Designs MOSFETs verwendeten. Aber die bestehenden Designs hielten an den bipolaren Transistoren fest.
Dieser Prozess dauerte etwa zehn Jahre. Zunächst gab es Vorreiter wie Steve Wozniak, dann gewann die Technologie in Anwendungen an Bedeutung, für die Bipolartransistoren keine gangbare Lösung darstellten. Der entscheidende Wendepunkt war jedoch, als der Preis für MOSFETs unter den Preis eines gleichwertigen Bipolartransistors fiel. Das war im Jahr 1988. Danach konnte man mit keinem Design mehr wettbewerbsfähig sein und am Markt bestehen, wenn man keinen MOSFET verwendete.
Transistoren aus Galliumnitrid befinden sich derzeit in der selben Situation, oder?
Völlig richtig, Siliziumkarbid übrigens auch. Da ich schon so lange in diesem Geschäft bin und diese Lernkurve bereits mit MOSFETs durchlaufen habe, wusste ich, dass unsere Strategie darin bestehen musste, Galliumnitrid-Bauteile zu bauen, die eine höhere Leistungsfähigkeit bei geringeren Kosten als gleichwertige MOSFETs haben, um diesen Umstieg zu schaffen. Daher haben wir vom allerersten Tag an am Kostenaspekt gearbeitet, und 2015, etwa acht Jahre nach der Gründung von EPC, erkannte ich, dass wir die Kostenmarke für MOSFETs durchbrochen hatten.
Sie erinnern sich; ich war der weltweit größte Hersteller von MOSFETs gewesen, als ich International Rectifier verließ. Ich wusste um die Kosten, ich wusste, wie brutal konkurrenzbetont die Kostenstruktur bei MOSFETs war. Daher wusste ich genau, wann wir mit unseren GaN-Bauelementen bei EPC diese Grenze durchbrochen hatten. Und seither haben wir nie mehr zurückgeblickt, sondern unsere Bauelemente weiter verkleinert und die Zuverlässigkeit und Robustheit unserer Produkte sowie unsere Prozesse verbessert.
Viele Leute nehmen immer noch an, dass eine so junge Technologie wie Galliumnitrid teurer sei als herkömmliche Silizium-MOSFETs. Immer mehr Leute kommen jedoch auf mich zu und stellen fest: »Ihre GaN-Bauteile sind sogar kostengünstiger als MOSFETs! Wie ist das möglich?«
Darüber hinaus können Sie Ihre GaN-Bauteile ab Lager liefern, während Silizium-MOSFETs auf Allokation sind.
Ganz genau! Derzeit können wir unsere GaN-Bauteile preislich im mittleren Bereich ansetzen, weil MOSFETs eine Lieferzeit von etwa 63 Wochen haben. Natürlich wird sich das wieder ändern. MOSFETs werden wieder verfügbar und ab Lager lieferbar sein. Aber jetzt müssen wir, offen gesagt, nicht billiger sein als MOSFETs, aber wir können es sein, wenn es nötig ist. Aber es hat etwa zehn Jahre gedauert, ähnlich wie bei MOSFETs gegenüber Bipolartransistoren.
Und erneut, wie ich es bei den großen Herstellern von bipolaren Bauelementen erlebt habe, haben alle großen MOSFET-Hersteller in den ersten Jahren von GaN behauptet: »Lieber Kunde, spielen Sie nicht mit diesen winzigen, empfindlichen Bauelementen herum. Sie sind nicht zuverlässig. Sie werden kaputt gehen, wenn man sie mit echter Leistung betreibt.« Für mich ist das wie ein Déjà-vu.
Aber alle großen internationalen Hersteller von Leistungshalbleitern stellen auch GaN-Produkte her. Wie können Sie sicherstellen, dass Sie ihnen stets einen Schritt voraus sind?
GaN-Bauelemente sind heute in etwa so ausgereift wie MOSFETs um das Jahr 1988. Es gibt noch viel Verbesserungspotenzial, bis wir die technologischen Grenzen erreicht haben. Ich muss dafür sorgen, dass unsere Lernzyklen schneller sind als die der etablierten Branchenriesen wie Infineon oder Onsemi. Irgendwann wird der Zeitpunkt kommen, an dem sich diese Zyklen verlangsamen und die großen Konzerne mit ihren enormen finanziellen Möglichkeiten aufholen werden. Aber ich hoffe, dass EPC dann zu diesen großen Konzernen mit massiven finanziellen Möglichkeiten gehören wird.
Lassen Sie uns kurz in die Glaskugel schauen. Glauben Sie, dass es einen Markt und einen Bedarf für vertikale GaN-Bauelemente gibt? Denn die heute verfügbaren Komponenten sind alle lateral aufgebaut.
Möglicherweise gibt es einige kleine Nischenmärkte, in denen vertikale Galliumnitrid-Transistoren Vorteile bringen, aber im Allgemeinen nicht. Der Hauptgrund dafür ist, dass Galliumnitrid-Kristalle in Halbleiterqualität mindestens so teuer sind wie Siliziumkarbid. Aber bei Siliziumkarbid haben wir über zwanzig Jahre industrielle Erfahrung und entsprechende Investi- tionen, etablierte Prozesse und eine etablierte Lieferkette. Bei vertikalem Galliumnitrid dagegen fehlen all diese Investitionen noch. Das ist der eine Punkt.
Der andere ist, dass vertikales Galliumnitrid gegenüber Siliziumkarbid in Bezug auf die Elektronenmobilität, das kritische elektrische Feld und so weiter kaum Vorteile bietet. Aber es gibt einen Parameter, bei dem Siliziumkarbid dreimal besser ist als Galliumnitrid - die Wärmeleitfähigkeit. Ein vertikales GaN-Bauelement ist fast genauso groß und genauso teuer wie ein entsprechendes SiC-Bauelement, hat aber eine viel schlechtere Wärmeleitfähigkeit. Und nun rechnen Sie sich einmal aus, wie viel Sie investieren müssten, nur um ein Bauelement zu erhalten, das annähernd so gut ist wie eine etablierte Bauelementetechnologie wie Siliziumkarbid-MOSFETs! Für mich ergibt das keinen Sinn.
Mit einem lateralen Bauelement wie GaN-auf-Silizium bieten sich jedoch Möglichkeiten, mehr Funktionen und/oder mehr als einen Leistungsschalter auf einem Chip zu integrieren, nicht wahr?
Dies ist der fundamentale Vorteil des GaN-auf-Silizium-Ansatzes. Dieses zweidimensionale Elektronengas tritt in Silizium nicht auf. Durch dieses quantenphysikalische Phänomen erhöhen sich die Ladungsträgermobilität und die Sättigungsgeschwindigkeit massiv. Das bedeutet, dass ein solcher lateraler HEMT besser sein kann als jedes vertikale Bauelement wie ein MOSFET in Silizium oder Siliziumkarbid.
Andererseits ist ein lateraler GaN-auf-Silizium-HEMT ähnlich wie ein integrierter MOS-Schaltkreis in Silizium. Darauf lassen sich komplexe Schaltungen zusammen mit einem Leistungsschalter integrieren. In Silizium ist das unmöglich. Wenn man in Silizium hohe Ströme und hohe Spannungen schalten will, muss man das vertikal tun. Und zwei vertikale Leistungsschalter lassen sich nicht auf einem Chip integrieren, weil sie sich gegenseitig mit Elektronen und Löchern verschmutzen. Daher kann man mit Galliumnitrid ein echtes Power-System auf einem Chip realisieren, was mit vertikalen Bauelementen nicht machbar ist. Dies führt zu einem Kostenvorteil gegenüber einer Lösung mit mehreren Silizium- und/oder Siliziumkarbid-Chips, wo es noch offensichtlicher ist.
Unabhängig von all Ihren Erfolgen, was war Ihr größter Fehler, Irrtum oder Fehleinschätzung in Ihrer beruflichen Laufbahn?
Mein größter Fehler war Selbstzufriedenheit. In den 1990er-Jahren führte Siliconix Trench-MOSFETs für Anwendungen im unteren Spannungsbereich ein. Ich verbrachte zu viel Zeit damit, zu beweisen, dass die planare Lösung, die Tom Herman und ich viele Jahre zuvor entwickelt hatten, überlegen sei. Doch wir lagen falsch, und es dauerte etwa fünf Jahre, bis wir eine Trench-Technologie entwickelten, die mit jener konkurrieren konnte. Das Ergebnis war, dass wir vorübergehend die Technologieführerschaft verloren. Unsere Kunden hatten sich auf International Rectifier verlassen, wenn es um die technologisch besten Lösungen ging. Als wir diese also nicht lieferten, waren sie enttäuscht und hörten uns daraufhin nicht mehr so genau zu.
Dr. Lidow, vielen Dank für Ihre Zeit. (Ralf Higgelke, Redakteur)
Doppelte Kapazität im kleinen Formfaktor M.2
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